開催日
7月23日（火）15時～16時
開催場所
早稲田大学 西早稲田キャンパス 62号館W棟1F大会議室A
講師
川原田 洋 先生（早稲田大学 基幹理工学部 電子物理システム学科 教授）
演題
「ダイヤモンド半導体による低炭素排出技術」
講演概要
ダイヤモンドは既存半導体を超えるパワー半導体として注目されています。
メタンから大量合成され、インド、中国では、１社で1000台の化学気相堆積（CVD）装置を並べる宝飾産業となっています。
製造価格低下から、宝飾以外、究極の半導体として興味がもたれています。
早稲田大学には数台のCVD装置があり、高性能のp-チャネル電界効果トランジスタ(p-FET)を世界で最初に開発しました。
この早大方式のp-FETとSiCやGaNのn-FETによる高速動作の相補型パワーインバータという新技術で，低炭素排出をめざします。
スタートアップや社会実装についてもお話します。
